IXYS
- Введение
- Новые изделия
Введение
IXYS
Производство мощных полупроводников IXYS Corporation состоит из транзисторов Power MOS (металлооксид-кремний) и биполярного питания.Эти серии продуктов преобразуют высокое напряжение или электрический ток в регулярную мощностьПроизводство компанией интегральных схем используется для аналоговых, смешанных сигналов и цифровых интерфейсных решений в области связи, таких как твердотельные реле (SSR), коммутаторы доступа к линейным картам (LCAS),LitelinkTM. RF Power Semiconductors преобразуют высокоскоростное электричество для усиления или приема. Кроме того, IXYS предоставляет драйверы лазерных диодов, прямые медные связи (DCB).
Новые изделия
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXGN200N60A |
IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
|
|
|
|
|
|
|
IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
|
|
|
|
|
|
|
IXDN75N120 |
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
|
|
|
|
|
|
|
МИЕВ101H1200EH |
Модуль IGBT 1200В 183A 630W E3
|
|
|
|
|
|
|
ВКИ75-06П1 |
IGBT MOD 600V 69A 208W ECO-PAC2
|
|
|
|
|
|
|
МДИ145-12А3 |
Модуль IGBT 1200V 160A 700W Y4M5
|
|
|
|
|
|
|
MCC72-18io8B |
Дискритетные полупроводниковые модули 72 ампер 1800 В
|
|
|
|
|
|
|
MCD44-14io8B |
Дискритетные полупроводниковые модули 44 ампер 1400 В
|
|
|
|
|
|
|
MCD250-08io1 |
Дискритетные полупроводниковые модули 250 ампер 800 В
|
|
|
|
|
|
|
MCC26-14io8B |
Дискритетные полупроводниковые модули 26 ампер 1400 В
|
|
|
|
|
|
|
МДД44-14Н1Б |
Дискритетные полупроводниковые модули 44 ампер 1400 В
|
|
|
|
|
|
|
ВКМ40-06П1 |
Дискритетные полупроводниковые модули 40 ампер 600 В
|
|
|
|
|
|
|
MCD72-18io8B |
Дискритетные полупроводниковые модули 72 ампер 1800 В
|
|
|
|
|
|
|
MCD310-16io1 |
Дискритетные полупроводниковые модули 310 ампер 1600 В
|
|
|
|
|
|
|
ZY250 |
Дискритетные полупроводниковые модули с ключевой двойной розеткой
|
|
|
|
|
|
|
МУБВ30-12А6К |
Дискритетные полупроводниковые модули 30 ампер 1200 В
|
|
|
|
|
|
|
МДД26-18Н1Б |
Дискритетные полупроводниковые модули 26 ампер 1800 В
|
|
|
|
|
|
|
MCC72-12io1B |
Дискритетные полупроводниковые модули СТАНДАРТ SCR 1200V, 72A
|
|
|
|
|
|
|
МВИ200-06А8 |
Дискритетные полупроводниковые модули NPT IGBT 600V, 200A
|
|
|
|
|
|
|
MCC72-12io8B |
Дискритетные полупроводниковые модули 72 ампер 1200 В
|
|
|
|
|
|
|
MCC250-12io1 |
Дискритетные полупроводниковые модули 250 ампер 1200 В
|
|
|
|
|
|
|
IXGH17N100AU1 |
IGBT транзисторы 17 ампер 1000 В
|
|
|
|
|
|
|
IXGK82N120B3 |
IGBT транзисторы GenX3 1200V IGBT
|
|
|
|
|
|
|
IXGH40N120B2D1 |
IGBT транзисторы IGBT, диод 1200В, 75А
|
|
|
|
|
|
|
IXGH15N120CD1 |
IGBT транзисторы 30 ампер 1200В 3.8 Rds
|
|
|
|
|
|
|
IXGX40N120BD1 |
IGBT транзисторы 75 ампер 1200В 3.3 Rds
|
|
|
|
|
|
|
IXGH40N120C3D1 |
IGBT транзисторы 75 ампер 1200 В
|
|
|
|
|
|
|
IXGH48N60A3D1 |
IGBT транзисторы G-серии A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
|
|
|
|
|
|
|
IXGX120N120B3 |
IGBT транзисторы 15 кГц-40 кГц
|
|
|
|
|
|
|
IXGA15N120B |
IGBT транзисторы 30 ампер 1200В 3.2 Rds
|
|
|
|