БСП135 Е6327
производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория продуктов::
MOSFET
Vgs (макс.)::
± 20 В
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C::
120mA (животики)
@ qty::
0
Тип FET::
N-канал
Тип установки::
Поверхностный монтаж
Загрузка шлюза (Qg) (Max) @ Vgs::
4.9nC @ 5В
Производитель::
Infineon Technologies
Минимальное количество::
1000
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение)::
0V, 10V
Фабричный запас::
0
Рабочая температура::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Функция FET::
Режим исчерпания
Серия::
SIPMOS®
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds::
146pF @ 25V
Пакет изделий поставщика::
PG-SOT223-4
Упаковка::
Лента и катушка (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
45 Ом @ 120 мА, 10 В
Рассеивание мощности (макс.)::
1.8W (животики)
Пакет / чемодан::
TO-261-4, TO-261AA
Технология::
MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id::
1В @ 94μA
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)::
600 В
Введение
BSP135 E6327, от Infineon Technologies, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: