SIHF23N60E-GE3
производитель:
Вишай полупроводники
Описание:
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
Категория:
Полупроводники
спецификации
Технология::
Si
Категория продуктов::
MOSFET
Торговое наименование::
TrenchFET
Пакет / чемодан::
TO-220-3
Упаковка::
Трубка
Производитель::
Вишай полупроводники
Введение
SIHF23N60E-GE3, от Vishay Semiconductors, это MOSFET. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Сопутствующие продукты
СУД50Н06-09Л-Е3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIS472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
СУД50Н06-09Л-Е3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
SIS472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: