IRF7464TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория продуктов::
MOSFET
Vgs (макс.)::
±30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C::
1.2A (животики)
@ qty::
0
Тип FET::
N-канал
Тип установки::
Поверхностный монтаж
Загрузка шлюза (Qg) (Max) @ Vgs::
14nC @ 10V
Производитель::
Infineon Technologies
Минимальное количество::
4000
Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение)::
10 В
Фабричный запас::
0
Рабочая температура::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Функция FET::
-
Серия::
HEXFET®
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds::
280pF @ 25V
Пакет изделий поставщика::
8-SO
Статус части::
Старый
Упаковка::
Лента и катушка (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
730 мОм @ 720 мА, 10 В
Рассеивание мощности (макс.)::
2.5W (животики)
Пакет / чемодан::
8-SOIC (0.154" , ширина 3.90mm)
Технология::
MOSFET (металлическая окись)
Vgs(th) (Max) @ Id::
5.5V @ 250µA
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)::
200 В
Введение
IRF7464TRPBF от Infineon Technologies, это MOSFET.То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке,в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: