STGF3NC120HD
производитель:
STMикроэлектроника
Описание:
IGBT транзисторы N-Ch 1200 Вт 3 ампера
Категория:
Полупроводники
спецификации
Ток утечки излучателя порта::
+/- 100 nA
Категория продуктов::
IGBT-транзисторы
Стиль установки::
Через дыру
Непрерывный коллекторный ток при 25 ° C::
6 А
Pd - диссипация силы::
25 Вт
Коллектор-излучатель напряжение VCEO Max::
1200 В
Пакет / чемодан::
TO-220-3 FP
Максимальная рабочая температура::
+ 150 C
Максимальное напряжение выпускателя::
+/- 20 v
Упаковка::
Трубка
Конфигурация::
Одинокий
Напряжение насыщения коллектора-излучателя::
2,8 v
Производитель::
STMикроэлектроника
Введение
STGF3NC120HD, от STMicroelectronics, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Сопутствующие продукты
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: