STGW60V60F

производитель:
STMикроэлектроника
Описание:
IGBT Транзисторы 600В 60А транш-гейт 1.8В Vce IGBT
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория продуктов::
IGBT-транзисторы
Стиль установки::
Через дыру
Непрерывный коллекторный ток при 25 ° C::
80 А
Pd - диссипация силы::
375 w
Коллектор-излучатель напряжение VCEO Max::
600 В
Пакет / чемодан::
ТО-247-3
Максимальная рабочая температура::
+ 175 c
Максимальное напряжение выпускателя::
+/- 20 v
Упаковка::
Трубка
Конфигурация::
Одинокий
Напряжение насыщения коллектора-излучателя::
2,35 v
Производитель::
STMикроэлектроника
Введение
STGW60V60F, от STMicroelectronics, это IGBT транзисторы. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
Сопутствующие продукты
Изображение Часть # Описание
STGW25M120DF3

STGW25M120DF3

IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: