HN1A01FU-Y,LXHF

производитель:
Toshiba Semiconductor и хранилища
Описание:
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
150 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
2 ПНП (двойной)
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Частота - переходный период:
80MHz
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
Автомобиль, AEC-Q101
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
300mV @ 10mA, 100mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
US6
Мфр:
Toshiba Semiconductor и хранилища
Ток - предел коллектора (макс.):
100nA (ICBO)
Мощность - Макс:
200mw
Пакет / чемодан:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Операционная температура:
-
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
120 @ 2mA, 6В
Номер базовой продукции:
HN1A01
Введение
Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 PNP (двойной) 50V 150mA 80MHz 200mW US6
Сопутствующие продукты
Изображение Часть # Описание
HN1C01FE-GR,LXHF

HN1C01FE-GR,LXHF

AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
ULN2803APG,CN

ULN2803APG,CN

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: