ПУМД10,115
производитель:
Nexperia USA Inc.
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
1 НПН, 1 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период:
230MHz
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
100mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
6-TSSOP
Резистор - основа (R1):
20,2 кОм
Мфр:
Nexperia USA Inc.
Резистор - база излучателя (R2):
47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.):
100nA (ICBO)
Мощность - Макс:
300 мВт
Пакет / чемодан:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции:
PUMD10
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP - предварительно предвзятый (двойной) 50V 100mA 230MHz 300mW Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Сопутствующие продукты
ПУМД48,115
NHUMD9X
PBLS4003D,115
PQMH13Z
ПУМД12/ДГ/B4X
ПУМД17,115
ПУМД15,115
НХУМХ1X
PEMB10,115
PUMH1/DG/B3,115
NHUMB9F
ПЭМХ14 115
ПЭМД4,115
NHUMB11F
PUMH2/DG/B3,115
ПУМХ13,115
ПУМХ9,125
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
ПУМД48,115 |
|
|
|
|
NHUMD9X |
|
|
|
|
PBLS4003D,115 |
|
|
|
|
PQMH13Z |
|
|
|
|
ПУМД12/ДГ/B4X |
|
|
|
|
ПУМД17,115 |
|
|
|
|
ПУМД15,115 |
|
|
|
|
НХУМХ1X |
|
|
|
|
PEMB10,115 |
|
|
|
|
PUMH1/DG/B3,115 |
|
|
|
|
NHUMB9F |
|
|
|
|
ПЭМХ14 115 |
|
|
|
|
ПЭМД4,115 |
|
|
|
|
NHUMB11F |
|
|
|
|
PUMH2/DG/B3,115 |
|
|
|
|
ПУМХ13,115 |
|
|
|
|
ПУМХ9,125 |
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: