НСМ21356DW6T1G
производитель:
на полу
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
Биполярный (BJT)
Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Старый
Тип транзистора:
1 НПН предварительно предвзятый, 1 ПНП
Частота - переходный период:
-
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50В, 65В
Пакет изделий поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Резистор - основа (R1):
47 кОмм
Мфр:
на полу
Резистор - база излучателя (R2):
47 кОмм
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
230mW
Пакет / чемодан:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Номер базовой продукции:
NSM213
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) 1 NPN Предварительно предвзятый, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Поверхностный монтаж SC-88/SC70-6/SOT-363
Сопутствующие продукты
SMUN5114DW1T1G
SMUN5233DW1T1G
НСБК114ЭДП6Т5Г
MUN5234DW1T1
НСБА143TDXV6T1
ИМХ20ТР1Г
НСБА143TDXV6T5G
НСВМУН5336DW1T1G
SMUN5312DW1T1G
MUN5316DW1T1G
НСБК123JPDXV6T5
SMUN5214DW1T1G
EMG2DXV5T5G
НСБК123ТДП6Т5Г
НСМ46211DW6T1G
ЭМФ5XV6T5
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: