RN2901FE,LXHF(CT

производитель:
Toshiba Semiconductor и хранилища
Категория:
Полупроводники
спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы,
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
100 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
2 ПНП - предвзятое (двойное)
Частота - переходный период:
200 МГц
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
Автомобиль, AEC-Q101
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
50 В
Пакет изделий поставщика:
ES6
Резистор - основа (R1):
40,7 кОм
Мфр:
Toshiba Semiconductor и хранилища
Резистор - база излучателя (R2):
40,7 кОм
Ток - предел коллектора (макс.):
500nA
Мощность - Макс:
100mW
Пакет / чемодан:
SOT-563, SOT-666
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
30 @ 10mA, 5В
Номер базовой продукции:
RN2901
Введение
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) 2 PNP - предварительно предвзятый (двойной) 50В 100mA 200MHz 100mW поверхностный монтаж ES6
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: