Домой > продукты > Полупроводники
Фильтры
Фильтры

Полупроводники

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
IXBF40N160

IXBF40N160

IGBT транзисторы 40 ампер 1600 В
IXYS
IRG7PH30K10PBF

IRG7PH30K10PBF

IGBT Транзисторы Trnch IGBT 1200V 10A один IGBT
Инфракрасн/Infineon
APT70GR65B

APT70GR65B

IGBT транзисторы изоляционные двери биполярные транзисторы - мощность MOS 8
Микросеми
ИКП30Н65Х5

ИКП30Н65Х5

IGBT транзисторы IGBT продукты TrenchStop 5
Infineon Technologies
ИРГР3Б60КД2ПБФ

ИРГР3Б60КД2ПБФ

Инфракрасн/Infineon
IRG7PH44K10DPBF

IRG7PH44K10DPBF

IGBT Транзисторы 1200В Ультрабыстрый 4-20 кГц Copack IGBT
Инфракрасн/Infineon
IKW50N65F5AXKSA1

IKW50N65F5AXKSA1

ПРОДУКТЫ транзисторов IGBT IGBT
Infineon Technologies
HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D

Транзисторы IGBT 600 В
Fairchild Semiconductor
DTC114EEBTL

DTC114EEBTL

Биполярные транзисторы - ТРАНЗИСТОР с предварительным смещением
ROHM полупроводник
UMG9NTR

UMG9NTR

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый ДВОЛНЫЙ NPN 50V 50MA SOT-353
ROHM полупроводник
ПДТА114ЮФ

ПДТА114ЮФ

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые PDTA114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
Nexperia
DTC044EMT2L

DTC044EMT2L

Биполярные транзисторы - цифровые транзисторы с предварительным уклоном NPN с встроенным резистором
ROHM полупроводник
DTC043ТУБТЛ

DTC043ТУБТЛ

Биполярные транзисторы - цифровые транзисторы с предварительным уклоном NPN с встроенным резистором
ROHM полупроводник
ПУМХ18,115

ПУМХ18,115

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
ММУН2133LT1G

ММУН2133LT1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT PNP
на полу
EMD29T2R

EMD29T2R

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRANS DIGI BJT
ROHM полупроводник
ПДТА144ВМ,315

ПДТА144ВМ,315

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятая лента TRANS RET TAPE-7
Nexperia
DTC144ВЕТЛ

DTC144ВЕТЛ

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые NPN 50V 30MA
ROHM полупроводник
РН2702ТЕ85ЛФ

РН2702ТЕ85ЛФ

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые BRT PNP 2-в-1 Ic -100mA -50V VCEO
Тошиба
НСВБК123JPDXV6T1G

НСВБК123JPDXV6T1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS SOT563 SRF MT RST XSTR
на полу
SMUN5211DW1T1G

SMUN5211DW1T1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR NPN 50V
на полу
РН2906,ЛФ

РН2906,ЛФ

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые US6-PLN
Тошиба
ДРА5115Е0Л

ДРА5115Е0Л

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
Панасоники
ПУМБ11,115

ПУМБ11,115

Nexperia
DTA114EET1G

DTA114EET1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT PNP
на полу
НСБК114ЭПДП6Т5Г

НСБК114ЭПДП6Т5Г

на полу
НСВММУН2232LT1G

НСВММУН2232LT1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR NPN 50V
на полу
СМУН2111Т1Г

СМУН2111Т1Г

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS SC59 BR XSTR PNP SPCL
на полу
ПДТК143ХМ,315

ПДТК143ХМ,315

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятая лента TRANS RET TAPE-7
Nexperia
ДМГ563Х10Р

ДМГ563Х10Р

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 мм
Панасоники
ПУМХ1,115

ПУМХ1,115

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
РН1316,ЛФ

РН1316,ЛФ

Биполярные транзисторы - предварительно сбитые 100mA 50вольт 3Pin 4.7K x 10Kohms
Тошиба
ПЭМХ4,115

ПЭМХ4,115

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRNS DOUBLE RET TAPE7
Nexperia
ИМД8АТ108

ИМД8АТ108

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые PNP/NPN 50V 100MA
ROHM полупроводник
ДРК2523Y0L

ДРК2523Y0L

Панасоники
MUN5233T1G

MUN5233T1G

Двухполярные транзисторы - Пре-пристрастное 100mA 50V ЯРКОЕ NPN
на полу
RN2116MFV ((TL3,T)

RN2116MFV ((TL3,T)

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый преимущественный резистор PNP 4.7kohm -100mA -50V
Тошиба
EMG2T2R

EMG2T2R

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый ДВОЛЬНЫЙ NPN 50V 30MA
ROHM полупроводник
PBLS1503Y,115

PBLS1503Y,115

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRNS LDSwitch TAPE-7
Nexperia
ДМА561090Р

ДМА561090Р

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2,0x2,1 мм
Панасоники
NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA дополнительные 50V двойные NPN & PNP
на полу
RN2502 ((TE85L,F)

RN2502 ((TE85L,F)

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый ген Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A
Тошиба
DTA143ZUAT106

DTA143ZUAT106

ROHM полупроводник
NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS SOT563 RSTR XSTR TR
на полу
ПБРН123ЕТ,215

ПБРН123ЕТ,215

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые BISS RETS TAPE-7
Nexperia
БЦР 169 E6327

БЦР 169 E6327

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый цифровой транзистор из кремния PNP
Infineon Technologies
PDTC123YM,315

PDTC123YM,315

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятая лента TRANS RET TAPE-7
Nexperia
ДРК2124Е0Л

ДРК2124Е0Л

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые транс W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
Панасоники
RN2904FE,LF(CT

RN2904FE,LF(CT

Биполярные транзисторы - пре-предвзятый преимущественный резистор Встроенный транзистор
Тошиба
ДРА9144Е0Л

ДРА9144Е0Л

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
Панасоники
50 51 52 53 54