Фильтры
Фильтры
Мемориальные микросхемы
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
W25Q128FVSJP |
IC Flash Memory 128 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT46H32M32LFB5-5 ИТ: B |
IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C |
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q16FWSNIQ |
IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
24AA16-I/MS |
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8MSOP
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
W958D6DBCX7I ТР |
IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
AT25DN011-MAHFHT-T |
IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8UDFN
|
Технологии Adesto
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С4 |
IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ411 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ414 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ415 МТ4 |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С5 |
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVZEIG TR |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT41K512M4HX-15E:D |
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVCIF TR |
IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT29F256G08CECCBH6-6C: C |
IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
D9PRS |
IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC4GMVEA-WT |
IC FLASH 32G MMC 153WFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
BR24A08FJ-WME2 |
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4 |
LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P |
IC FLASH 16G ПАРАЛЕЛЬНЫЙ ВЕФЕР
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT4102М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4 |
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
BR25L010FVM-WTR |
IC EEPROM 1K SPI 5MHZ 8MSOP
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
MT41K2G8KJR-125: |
IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
АТ25ДФ321-С3У |
IC FLASH 32M SPI 70MHZ 16SOIC
|
Технологии Adesto
|
|
|
|
|
|
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR |
MLC EMMC/LPDDR3 280G
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC8GACAENS-5M AAT TR |
IC FLASH 64G MMC
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPJQ |
IC Flash Memory 128 МБ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABCHC:C |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B |
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D |
IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
AT45DQ161-MHD2B-T |
IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
|
Технологии Adesto
|
|
|
|
|
|
ВЕС MT42L256M16D1GU-18: TR |
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MTFC4GGQDQ-IT TR |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
БР93Г46-3А |
MICROWIRE BUS 1KBIT ((64X16BIT) EE
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
МТ48LC4M32B2B5-6A АИТ:L |
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W25Q64FVSCB1 |
IC FLASH 64M SPI 104MHZ
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С4С5 |
IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
N25Q128A11ESE40F TR |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SOP2
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR |
IC FLASH 64G ПАРАЛЕЛЬНО 167MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
M95256-RMN6P |
IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SO
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
МТ4В128М4FN-5B:D TR |
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT47H32M8BP-3:B TR |
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
W9812G2KB-6 |
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M8A2TG-75 Л:Г |
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT42L64M32D1TK-18 AAT: C TR |
IC DRAM 2G ПАРАЛЕЛЬНО 533MHZ
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
BR24T02FVJ-WGE2 |
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
MT29F4G16ABADAM60A3WC1 |
IC FLASH 4G ПАРАЛЕЛЬНАЯ ВАФЕРА
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С5 |
IC DRAM 4G PARALLEL 1,33 ГГц
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
MT41K128M8JP-125: G |
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
|
Технология микронов
|
|
|
|
|
|
МТ4С4С4С4С4С4 |
IC DRAM 256M ПАРАЛЕЛЬ 66TSOP
|
Технология микронов
|
|
|