Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC143ZUAT106 |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые NPN 50V 100MA SOT-323
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
DTA143XETL |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые PNP 50V 100MA
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
ПДТД143ЭТР |
Биполярные транзисторы - предварительно отклоненные 500 мА, 50 В с NPN-резистором
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
НСВММУН2112LT1G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
|
на полу
|
|
|
|
|
|
ДТА144ЕМ3Т5Г |
|
на полу
|
|
|
|
|
|
UMA10NTR |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые ДВОЛЬНЫЕ ПНП 50В 100МА
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
ЭМХ10Т2Р |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые ДВОЛЬНЫЕ NPN 50V 100MA
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
SMMUN2213LT1G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR SPCL TR
|
на полу
|
|
|
|
|
|
ПУМБ15,115 |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые TRNS DOUBLE RET TAPE7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
SMUN5315DW1T1G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR DUAL 50V
|
на полу
|
|
|
|
|
|
ФМА3АТ148 |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые ДВОЛЬНЫЕ ПНП 50В 100МА
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
PDTD143EUX |
Биполярные транзисторы - предварительно отклоненные 500 мА, 50 В с NPN-резистором
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
НСБА114TF3T5G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый транзистор SOT-1123 PBRT
|
на полу
|
|
|
|
|
|
ММУН2114LT1G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT PNP
|
на полу
|
|
|
|
|
|
BCR 142W H6327 |
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
РН2111МФВ,Л3Ф |
Биполярные транзисторы - пре-предвзятый преимущественный резистор Встроенный транзистор
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
UMH6NTR |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый ДВОЛЬНЫЙ NPN 50V 30MA
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
DTC123JM3T5G |
Двухполярные транзисторы - Пре-пристрастное 100mA 50V ЯРКОЕ NPN
|
на полу
|
|
|
|
|
|
RN1901 ((T5L,F,T) |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый ген Транс BRT NPN US6, 50V, 100A 100mA
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
ПДТБ114EQAZ |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые PDTB114EQA/DFN1010D-3/REEL 7
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ДТА023ЮБТЛ |
Биполярные транзисторы - цифровые транзисторы PNP с предварительным уклоном с встроенным резистором
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
SMUN5214DW1T1G |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR NPN 50V
|
на полу
|
|
|
|
|
|
DTC114YKAT146 |
Биполярные транзисторы - предварительно предвзятый DIGITL NPN 50V 70MA
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
DTA014YEBTL |
Биполярные транзисторы - цифровые транзисторы PNP с предварительным уклоном с встроенным резистором
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
RN1311 ((TE85L,F) |
|
Тошиба
|
|
|
|
|
|
IRF7530PBF |
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STW43NM60ND |
MOSFET N-CH 600V 35A до 247
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
IRF7757TRPBF |
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
Установление и установка: |
Диод барьера Schottky
|
Фудзи электрический
|
|
|
|
|
|
ИПП60Р280Е6ХКСА1 |
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IRF1404STRLPBF |
MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
|
Инфракрасн/Infineon
|
|
|
|
|
|
СТФ10НМ60НД |
MOSFET N-CH 600V 8A до 220FP
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
IPD50R950CEBTMA1 |
MOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IRFU5410PBF |
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
АУИРФ2804WL |
MOSFET 40V 295A 1.8mOhm Автомобильный MOSFET
|
Инфракрасн/Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7815PBF |
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
СУД50Н06-09Л-Е3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
BS170_D26Z |
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Эффект поля
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
IRFR6215TR |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ИПП90Р800С3 |
MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
БСС127С-7 |
MOSFET N-CH 600V 0,05A SOT23
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
ФДП5Н60НЗ |
MOSFET 600V N-канальный MOSFET, UniFET-II
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
Определяемые отчисления |
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
|
Тексасские инструменты
|
|
|
|
|
|
ПМВ32УП,215 |
MOSFET P-CH -20 V -4 A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ИПП80Н03С4Л03АКСА1 |
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
СТФ10НМ60Н |
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
ДМТ6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Низкий рдсон
|
Диоды встроенные
|
|
|
|
|
|
STW40N95K5 |
MOSFET N-CH 950V 38A TO247
|
STMикроэлектроника
|
|
|
|
|
|
NTR5105PT1G |
MOSFET PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
|
на полу
|
|
|